“SiC”行業(yè)概念股，名單整理好了！（1月22日）

　　SiC行業(yè)概念股有：

　　北方華創(chuàng)002371：1月22日收盤最新消息，北方華創(chuàng)7日內(nèi)股價(jià)上漲7.27%，截至15時(shí)收盤，該股跌0.2%報(bào)250.200元 。

　　北方華創(chuàng)多年來(lái)精耕MEMS領(lǐng)域，攻關(guān)前沿半導(dǎo)體技術(shù)，能夠?yàn)?G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)提供多樣化的國(guó)產(chǎn)裝備及工藝解決方案。NAURAHSE系列刻蝕設(shè)備針對(duì)MEMS硅刻蝕工藝研發(fā)，已通過(guò)多年量產(chǎn)驗(yàn)證，性能穩(wěn)定；GSEC200刻蝕設(shè)備針對(duì)GaN/GaAs/IR紅外傳感等III-V和II-VI材料研發(fā)，刻蝕材料范圍廣，兼具低速低損傷的原子層（ALE）刻蝕能力；GDEC200專為SiC背部通孔刻蝕、SiC柵槽刻蝕設(shè)計(jì)，工藝兼容性良好，能夠完全滿足器件制程要求。

　　華潤(rùn)微688396：1月22日，華潤(rùn)微開盤報(bào)價(jià)40.32元，收盤于39.650元，跌1.71%。當(dāng)日最高價(jià)為41.08元，最低達(dá)38.88元，成交量465.86萬(wàn)手，總市值為523.42億元。

　　第三代半導(dǎo)體方面，公司根據(jù)研發(fā)進(jìn)程有序推進(jìn)碳化硅（SiC）中試生產(chǎn)線建設(shè)，目前已按計(jì)劃完成第一階段建設(shè)目標(biāo)，利用此建立的基礎(chǔ)條件完成了1200V、650VSiCJBS產(chǎn)品開發(fā)和考核。

　　中國(guó)電建601669：1月22日收盤消息，中國(guó)電建截至15點(diǎn)，該股報(bào)4.500元，跌2.39%，7日內(nèi)股價(jià)下跌5.56%，總市值為775.18億元。

　　公司在海外投資的礦產(chǎn)資源項(xiàng)目有老撾萬(wàn)象平原鉀鹽礦項(xiàng)目(公司占70%)、和剛果(金)SICOMINES銅鈷礦項(xiàng)目(公司占20%)。其中，老撾萬(wàn)象平原鉀鹽礦項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資9469萬(wàn)美元(折合RMB59749萬(wàn)元)，目前，初勘工作全部結(jié)束，首期開發(fā)年產(chǎn)12萬(wàn)噸可行性研究報(bào)告已獲國(guó)家發(fā)改委批準(zhǔn)，已著手建廠，可實(shí)現(xiàn)年銷售額3.6億元；中期年產(chǎn)100萬(wàn)噸和遠(yuǎn)期年產(chǎn)200萬(wàn)噸方案將循序進(jìn)行詳勘和可行性研究。截止2011年年末，該項(xiàng)目公司已投入5401萬(wàn)元，尚需投資7146萬(wàn)元(其余資金為銀行貸款)。SICOMINES銅鈷礦項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資32.4億美元，由中方企業(yè)集團(tuán)和剛方共同投資開發(fā)，其中中方股份為68%。公司項(xiàng)目竣工投產(chǎn)后運(yùn)營(yíng)期19年。該銅鈷礦估算的整個(gè)礦區(qū)礦石量為2.2億噸。

　　揚(yáng)杰科技300373：1月22日收盤消息，揚(yáng)杰科技今年來(lái)漲幅下跌-3.41%，最新報(bào)35.490元，成交額3.02億元。

　　公司積極推進(jìn)第三代寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體器件基于硅基制造，而采用第三代半導(dǎo)體材料(如 SiC、 GaN)具有寬禁帶特性，是新興的半導(dǎo)體材料。

　　斯達(dá)半導(dǎo)603290：1月22日，斯達(dá)半導(dǎo)收盤跌3.1%，報(bào)于163.290。當(dāng)日最高價(jià)為168元，最低達(dá)162.03元，成交量197.67萬(wàn)手，總市值為279.15億元。

　　自主芯片的車規(guī)級(jí)SiCMO?S?F?ET模塊在主電機(jī)控制器客戶完成驗(yàn)證，小批量出貨。

　　三安光電600703：三安光電最新報(bào)價(jià)12.510元，7日內(nèi)股價(jià)下跌4.64%；今年來(lái)漲幅下跌-10.71%，市盈率為83.4。

　　是目前國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局最完備的公司之一，涉及GaAs、GaN、SiC等化合物半導(dǎo)體材料，覆蓋化合物襯底、外延和芯片生產(chǎn)。